參數(shù)資料
型號： MRF9822T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR GaAs PHEMT
中文描述： UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： MRF9822T1
3
MRF9822T1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 449–02
ISSUE A
éé
éé
ééé
éééé
éé
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DRAFT
4 PL
A
éé
éé
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
4. SOURCE
L
S
K
B
R
Q
4
1
3
2
N
F
2 PL
ZONE V
P
C
E
W
8 PL
ZONE U
RESIN BLEED/FLASH
ALLOWABLE
D
2 PL
J
8 PL
éé
G
H
T
Y
X
Z
AA
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
MIN
0.185
0.175
0.058
0.017
0.014
0.027
0.071
0.017
0.000
0.018
0.253
MAX
0.195
0.185
0.064
0.023
0.017
0.033
0.077
0.023
0.007
0.026
0.263
MIN
4.70
4.44
1.47
0.43
0.36
0.69
1.80
0.43
0.00
0.46
6.43
MAX
4.95
4.70
1.63
0.58
0.43
0.84
1.96
0.58
0.18
0.66
6.68
MILLIMETERS
INCHES
5 REF
1.75 REF
0.000
0.120
0.220
0.030
0.050
0.000
0.000
0.004
0.131
0.065
0.089
0.056
5 REF
4.44 REF
0.00
3.05
5.59
0.76
1.27
0.00
0.00
0.10
3.33
1.65
2.26
1.42
0.006
0.130
0.230
0.038
0.060
0.018
0.014
0.016
0.141
0.075
0.099
0.066
0.15
3.30
5.84
0.97
1.52
0.46
0.36
0.41
3.58
1.90
2.51
1.67
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PDF描述
MRFG35003MT1 The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRFIC0001 QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0903 ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0904 900 MHz GaAs TWO STAGE DRIVER AMP INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0912 900 MHz GaAs INTEGRATED POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
MRFA2600 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER AMPLIFIER
MRFA2602 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER AMPLIFIER
MRFA2604 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER AMPLIFIER
MRFE6P3300HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6P3300HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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