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參數(shù)資料
| 型號： | MSM5118165F |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO |
| 中文描述： | 1,048,576詞】16位動態(tài)隨機存儲器：快速頁面模式型與江戶 |
| 文件頁數(shù)： | 6/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | MSM5118165F |
FEDD5118165F-01
1
Semiconductor
MSM5118165F
6/15
AC CHARACTERISTICS (1/2)
(V
CC
= 5V
±
10%, Ta = 0 to 70°C) Note1,2,3
MSM5118165
F-60
F-70
MSM5118165
F-50
MSM5118165
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Note
Random Read or Write Cycle Time
t
RC
84
104
124
ns
Read Modify Write Cycle Time
t
RWC
110
135
160
ns
Fast Page Mode Cycle Time
t
HPC
20
25
30
ns
Fast Page Mode Read Modify Write
Cycle Time
t
HPRWC
58
68
78
ns
Access Time from
RAS
t
RAC
50
60
70
ns
4, 5, 6
Access Time from
CAS
t
CAC
13
15
20
ns
4,5
Access Time from Column Address
t
AA
25
30
35
ns
4,6
Access Time from
CAS
Precharge
t
CPA
30
35
40
ns
4,13
Access Time from
OE
t
OEA
13
15
20
ns
4
Output Low Impedance Time from
CAS
t
CLZ
0
0
0
ns
4
Data Output Hold After
CAS
Low
t
DOH
5
5
5
ns
CAS
to Data Output Buffer Turn-
off Delay Time
t
CEZ
0
13
0
15
0
20
ns
7,8
RAS
to Data Output Buffer Turn-
off Delay Time
t
REZ
0
13
0
15
0
20
ns
7,8
OE
to Data Output Buffer Turn-off
Delay Time
t
OEZ
0
13
0
15
0
20
ns
7
WE
to Data Output Buffer Turn-
off Delay Time
t
WEZ
0
13
0
15
0
20
ns
7
Transition Time
t
T
1
50
1
50
1
50
ns
3
Refresh Period
t
REF
16
16
16
ms
RAS
Precharge Time
t
RP
30
40
50
ns
RAS
Pulse Width
t
RAS
50
10,000
60
10,000
70
10,000
ns
RAS
Pulse Width
(Fast Page Mode with EDO)
t
RASP
50
100,000
60
100,000
70
100,000
ns
RAS
Hold Time
t
RSH
7
10
13
ns
RAS
Hold Time referenced to
OE
t
ROH
7
10
13
ns
CAS
Precharge Time
(Fast Page Mode with EDO)
t
CP
7
10
10
ns
15
CAS
Pulse Width
t
CAS
7
10,000
10
10,000
13
10,000
ns
CAS
Hold Time
t
CSH
35
40
45
ns
CAS
to
RAS
Precharge Time
t
CRP
5
5
5
ns
13
RAS
Hold Time from
CAS
Precharge t
RHCP
30
35
40
ns
13
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