參數(shù)資料
型號： MT16VR12816AG-845B1
元件分類： DRAM
英文描述： 128M X 16 RAMBUS MODULE, 45 ns, DMA84
封裝： RIMM-184
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： MT16VR12816AG-845B1
3
32, 48, 64, 128 Meg x 16/18 Rambus RIMM Modules
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
RM01.p65 – Rev. 9/99
1999, Micron Technology, Inc.
32, 48, 64, 128 MEG x 16/18
RAMBUS RIMM MODULES
ADVANCE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
A0
SA0
SERIAL PD
SDA
A1
SA1
A2
SA2
WP
SCL
47K
U0
LCFM
LCFMN
LCTM
LCTMN
LROW2..0
LCOL4..0
LDQA8..0
LDQB8..0
SIO0
SIO1
SCK
CMD
VREF
LCFM
LCFMN
LCTM
LCTMN
LROW2..0
LCOL4..0
LDQA8..0
LDQB8..0
RCFM
RCFMN
RCTM
RCTMN
RROW2..0
RCOL4..0
RDQA8..0
RDQB8..0
UN
LCFM
LCFMN
LCTM
LCTMN
LROW2..0
LCOL4..0
LDQA8..0
LDQB8..0
SIO0
SIO1
SCK
CMD
VREF
U1
LCFM
LCFMN
LCTM
LCTMN
LROW2..0
LCOL4..0
LDQA8..0
LDQB8..0
SIO0
SIO1
SCK
CMD
VREF
U2
LCFM
LCFMN
LCTM
LCTMN
LROW2..0
LCOL4..0
LDQA8..0
LDQB8..0
SIO0
SIO1
SCK
CMD
VREF
V
R
E
F
R
C
M
D
R
S
C
K
Two 0.1
F per RDRAM
0.1
F
VDD
GND
One 0.1
F per two RDRAM
VREF
GND
One 0.1
F per two RDRAM
VCMOS
GND
One 0.1
F to SPD
SVDD
GND
MODULE
CAPACITY
N
256MB
16
128MB
8
96MB
6
64MB
4
NOTE: 1. Rambus channel signals form a loop through the
RIMM module, with the exception of the SIO chain.
S
O
U
T
相關PDF資料
PDF描述
MT4VR3218AG-845B1 32M X 18 RAMBUS MODULE, 45 ns, DMA84
MT18JSF25672AY-1G1D1 256M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240
MT18VDDT12872PHIG-265XX 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200
MT28C128564W18EBW-F605P706TBWT SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77
MT28C128564W18EFW-F606P856KTBWT SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MT1700-Y 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:2 CHIP LED LAMP FOR AC DRIVING
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