參數(shù)資料
型號(hào)： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 2/61頁
文件大?。?/td> 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
10
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Mode Register Definition
Preliminary
Notes:
1. Whenever a boundary of the block is reached within a given sequence above, the following
access wraps within the block.
2. For BL = 2, A1–A8 select the block-of-two burst; A0 selects the starting column within the
block.
3. For BL = 4, A2–A8 select the block-of-four burst; A0–A1 select the starting column within
the block.
4. For BL = 8, A3–A8 select the block-of-eight burst; A0–A2 select the starting column within
the block.
Table 4:
Burst Definition1
Burst
Length
Order of Accesses Within a
Burst
Starting Column Address
Type =
Sequential
Type =
Interleaved
22
A0
00-1
0-1
11-0
1-0
43
A1
A0
0
0-1-2-3
0
1
1-2-3-0
1-0-3-2
1
0
2-3-0-1
1
3-0-1-2
3-2-1-0
84
A2
A1
A0
0
0-1-2-3-4-5-6-7
0
1
1-2-3-4-5-6-7-0
1-0-3-2-5-4-7-6
0
1
0
2-3-4-5-6-7-0-1
2-3-0-1-6-7-4-5
0
1
3-4-5-6-7-0-1-2
3-2-1-0-7-6-5-4
1
0
4-5-6-7-0-1-2-3
1
0
1
5-6-7-0-1-2-3-4
5-4-7-6-1-0-3-2
1
0
6-7-0-1-2-3-4-5
6-7-4-5-2-3-0-1
1
7-0-1-2-3-4-5-6
7-6-5-4-3-2-1-0
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PDF描述
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