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參數(shù)資料
| 型號： | MT58L128L36P1T-5 |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PQFP100 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 9/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 481K |
| 代理商： | MT58L128L36P1T-5 |
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17
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L256L18P1_F.p65 – Rev. F, Pub. 1/03 EN
2003, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
TQFP THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Thermal Resistance
Test conditions follow standard test methods
θ
JA
46
°C/W
1
(Junction to Ambient)
and procedures for measuring thermal
Thermal Resistance
impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
2.8
°C/W
1
(Junction to Top of Case)
NOTE: 1. This parameter is sampled.
2. Preliminary package data.
FBGA THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Junction to Ambient
Test conditions follow standard test methods
θ
JA
40
°C/W
1, 2
(Airflow of 1m/s)
and procedures for measuring thermal
Junction to Case (Top)
impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
9
°C/W
1, 2
Junction to Pins
θ
JB
17
°C/W
1, 2
(Bottom)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MT58L128L36P1T-7.5 IT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:128KX36 SRAM PLASTIC IND TEMP |
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