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參數資料
| 型號： | MTD2N50E1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | MTD2N50E1 |
MTD2N50E
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
0.8
1.6
2.4
3.2
0
1
3
5
8
6
4
2
0.4
1.2
2.0
2.8
3.6
4.0
50
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
25
0
25
50
75
100
125
150
04
8
12
16
20
3
4
2
6
10
14
18
1
5 V
6 V
0
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = 25°C
VGS = 0 V
25°C
55°C
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.0
2.5
3.5
4.0
2.0
3.0
1.0
0
25°C
100°C
VGS = 10 V
15 V
2.6
3.4
3.8
4.2
3.0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
0.4
1.2
2.0
2.8
3.6
4.0
0
200
400
1
100
1000
100
300
500
0.5
7
10
450
350
250
150
50
25°C
100°C
TJ = 125°C
VGS = 10 V
1.5
VGS = 10 V
ID = 1 A
TJ = 100°C
TJ = 55°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD2N50E | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3302 | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTD4N20E | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20E1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20E-1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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