參數(shù)資料
型號(hào)： MTDF2N06HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MICROPAK-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： MTDF2N06HDR2
MTDF2N06HD
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R DS(on)
,DRAIN-T
O-SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DSon(
),
DRAIN-T
O-SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
2
4
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
02
0
2
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2
04
10
0
0.8
01
2
4
0.30
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On–Resistance versus
Drain Current
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
2.0
10
30
1E-10
1E-09
1E-08
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(A)
VDS ≥ 10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
TJ = 25°C
VGS = 0 V
ID = 1.5 A
TJ = 25°C
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
ID = 1.5 A
5
68
10 V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 125°C
1.0
50
100°C
R DS(on)
,DRAIN-T
O-SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
0.2
0.4
1.2
0.6
1.0
1.4
1.6
2.0
1
3
1
3
4
0.4
0.14
0.18
0.22
0
0.5
0
1E-11
1.0
0.2
3
25°C
0.8
1.8
TJ = 25°C
VGS = 2.5 V
2.9 V
1
0
5
1E-07
20
40
3.5 V
3.7 V
10 V
4.5 V
34
0.26
0.6
W
3.3 V
6.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTDF2N06HD 1500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MTM23224 1200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MTM24N50E 24 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
MHM25N10HX 25 A, 100 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
MHM5N100HX 5 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
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參數(shù)描述
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