參數(shù)資料
型號： MTSF2P02HD
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SINGLE TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.090 OHM
中文描述： 2400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： MTSF2P02HD
4
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.7 V
VGS = 4.5 V
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
2.3 V
2.1 V
1.9 V
3.5 V
2.9 V
4.5 V
VGS = 8 V
1.7 V
1.5 V
I
R
R
0
0
0.4
1.6
2
0
1
3
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On–Region Characteristics
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
0.05
Figure 5. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 6. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1
100
Figure 7. On–Resistance Variation
with Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
VDS
≥
10 V
TJ = –55
°
C
25
°
C
100
°
C
4
2
2
4
1
2
2.5
0.5
0.15
0
1
2
10
0
4
12
16
20
0.09
3
3
4
R
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
–50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 4.5 V
ID = 1.2 A
125
75
25
–25
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
100
°
C
1.2
1.5
1
0.11
0.13
1000
0.01
25
°
C
0.8
0.11
0.13
0.15
0.09
0.05
0.07
2
4
8
6
1
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID = 2.4 A
TJ = 25
°
C
0
0.07
5
2.7 V
2.5 V
5
0
3
3
5
7
5
0.1
8
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PDF描述
MTSF2P03HD SINGLE TMOS POWER MOSFET 2.7 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.090 OHM
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