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參數資料
| 型號： | MZ0912B100Y |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 封裝： | MZ0912B100Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | MZ0912B100Y |
1997 Feb 20
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
MX0912B100Y; MZ0912B100Y
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
(peak power)
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 0
open base
open collector
t
p
≤
10
μ
s;
δ ≤
10 %
t
p
≤
10
μ
s;
δ ≤
10 %;
T
mb
= 75
°
C
65
60
20
3
6
290
V
V
V
V
A
W
T
stg
T
j
T
sld
65
+200
200
235
°
C
°
C
°
C
up to 0.2 mm from ceramic;
t
≤
10 s
Fig.3
Maximum power dissipation derating as a
function of mounting-base temperature.
t
p
= 10
μ
s;
δ
= 10 %; P
tot max
= 290 W.
handbook, halfpage
50
200
0
100
200
0
Ptot
(W)
100
Tmb (
°
C)
MGL046
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MZ0912B100Y | NPN microwave power transistors |
| MZ0912B100Y | NPN microwave power transistors |
| MZ0912B50Y | NPN microwave power transistors |
| MZ0912B50Y | NPN microwave power transistors |
| MZ0912B50Y | NPN microwave power transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MZ0912B100Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ0912B100Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ0912B50Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MZ0912B50Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ0912B50Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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