參數(shù)資料
型號: MZ0912B100Y
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistors
封裝: MZ0912B100Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,;
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代理商: MZ0912B100Y
1997 Feb 20
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
MX0912B100Y; MZ0912B100Y
Fig.8 Input impedance as a function of frequency associated with optimum load impedance.
V
CC
= 50 V; Z
o
= 10
; P
L
= 100 W.
handbook, full pagewidth
MGL044
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
10
5
10
0
0.2
0.5
1
2
5
10
+
j
j
1.215 GHz
0.960 GHz
Fig.9 Optimum load impedance as a function of frequency associated with input impedance.
V
CC
= 50 V; Z
o
= 10
.; P
L
= 100 W.
handbook, full pagewidth
MGL045
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
10
5
10
0
0.2
0.5
1
2
5
10
+
j
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1.215 GHz
0.960 GHz
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MZ0912B100Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ0912B50Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
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