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參數(shù)資料
型號： NE5517N
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 5/15頁
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描述： IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
產(chǎn)品變化通告： Product Obsolescence 11/Feb/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 25
放大器類型： 跨導(dǎo)
電路數(shù)： 2
輸出類型： 推挽式
轉(zhuǎn)換速率： 50 V/µs
增益帶寬積： 2MHz
電流 - 輸入偏壓： 400nA
電壓 - 輸入偏移： 400µV
電流 - 電源： 2.6mA
電流 - 輸出 / 通道： 650µA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 16-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-DIP
包裝： 管件
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
13
ORDERING INFORMATION
Device
Temperature Range
Package
Shipping
AU5517DR2
40 to +125 °C
SOIC16
2500 Tape & Reel
AU5517DR2G
SOIC16
(PbFree)
NE5517D
0 to +70 °C
SOIC16
48 Units/Rail
NE5517DG
SOIC16
(PbFree)
NE5517DR2
SOIC16
2500 Tape & Reel
NE5517DR2G
SOIC16
(PbFree)
NE5517N
PDIP16
25 Units/Rail
NE5517NG
PDIP16
(PbFree)
NE5517AN
PDIP16
NE5517ANG
PDIP16
(PbFree)
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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NE5520279A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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NE5520279A-EVPW04 功能描述:射頻開發(fā)工具 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V
NE5520279A-EVPW09 功能描述:射頻開發(fā)工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V
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