參數(shù)資料
型號(hào): NE5517N
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 6/15頁(yè)
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描述: IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
產(chǎn)品變化通告: Product Obsolescence 11/Feb/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
放大器類(lèi)型: 跨導(dǎo)
電路數(shù): 2
輸出類(lèi)型: 推挽式
轉(zhuǎn)換速率: 50 V/µs
增益帶寬積: 2MHz
電流 - 輸入偏壓: 400nA
電壓 - 輸入偏移: 400µV
電流 - 電源: 2.6mA
電流 - 輸出 / 通道: 650µA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: 16-DIP(0.300",7.62mm)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-DIP
包裝: 管件
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
14
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC16
CASE 751B05
ISSUE K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION
SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
18
16
9
SEATING
PLANE
F
J
M
R X 45_
G
8 PL
P
B
A
M
0.25 (0.010)
B S
T
D
K
C
16 PL
S
B
M
0.25 (0.010)
A S
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
9.80
10.00
0.386
0.393
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.054
0.068
D
0.35
0.49
0.014
0.019
F
0.40
1.25
0.016
0.049
G
1.27 BSC
0.050 BSC
J
0.19
0.25
0.008
0.009
K
0.10
0.25
0.004
0.009
M
0
7
0
7
P
5.80
6.20
0.229
0.244
R
0.25
0.50
0.010
0.019
__
6.40
16X
0.58
16X
1.12
1.27
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT
16
89
8X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5532N IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-DIP
NE5534D IC OPAMP SGL LOW NOISE 8-SOIC
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OP07CSZ-REEL IC OPAMP GP LDRIFT LN 8SOIC
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參數(shù)描述
NE5517NG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5520279A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520279A-A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520279A-EVPW04 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類(lèi)型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V
NE5520279A-EVPW09 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類(lèi)型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V