型號: | NTB10N60 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Power MOSFET 10 Amps, 601 Volts N-Channel(10A,600V,N溝道增強型MOS場效應(yīng)管(D2PAK封裝)) |
中文描述: | 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 67K |
代理商: | NTB10N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTP10N60 | Power MOSFET 10 Amps, 600 Volts N-Channel(10A,600V,N溝道增強型MOS場效應(yīng)管(TO-220封裝)) |
NTB12N50 | N-Channel Enhancement-Mode TMOS Power FET(12A,500V,N溝道增強型TMOS場效應(yīng)管) |
NTB13N10 | Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N–Channel Enhancement–Mode(13 A, 100 V,N通道,增強模式功率MOSFET) |
NTB18N06L | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
NTB18N06LT4 | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level (N−Channel TO−220 and DPAK) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTB1226AS | 制造商:IKO NIPPON THOMPSON 功能描述:AXL NDL RLR 12MM |
NTB125N02R | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB125N02R_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK |
NTB125N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB125N02RT4 | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |