參數(shù)資料
型號(hào)： NTB5404N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 40 V, 136 A(40V, 136A, 功率MOSFET)
中文描述： 40 V的功率MOSFET，136（40V的，136A章，功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： NTB5404N
NTB5404N
http://onsemi.com
3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
T
J
= 125
°
C
0
25
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
D
0
Figure 1. OnRegion Characteristics
3
25
0
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
R
D
D
I
D
D
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
50
0
25
25
2
2.2
1
0.8
0.6
50
175
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
75
T
J
= 25
°
C
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
D
D
R
T
J
= 25
°
C
R
D
D
V
GS
= 10 V
10
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
28
V
GS
= 0 V
I
D
,
T
J
= 100
°
C
4 V
3.8 V
4.6 V
V
GS
= 5 V
V
DS
≥
10 V
16
36
4
40
200
V
GS
= 8 V to 10 V
50
125
100
5
10
0.008
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.004
0.005
0.006
0.01
3
6
0.003
4
0.006
0.002
0.01
0.004
0.003
0.005
1000
4
6
10
1
2
20
140
30
40
1.8
20
50
4
6 V
7 V
0.007
8
60
50
175
75
I
D
= 40 A
T
J
= 25
°
C
0.002
0.001
100
32
24
8
12
8
4.2 V
4.8 V
7
5
9
0.009
0.007
0.008
0.009
130
120
110
100
70
80
90
1.6
1.4
1.2
150
1
3
7
5
9
75
150
125
100
4.4 V
5 V
8
9
10
6
7
0
100
125
150
175
200
10000
100000
T
J
= 175
°
C
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PDF描述
NTB5405N Power MOSFET(功率MOSFET)
NTB60N06 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06G 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
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