參數(shù)資料
型號： NTB5404N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 40 V, 136 A(40V, 136A, 功率MOSFET)
中文描述： 40 V的功率MOSFET，136（40V的，136A章，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： NTB5404N
NTB5404N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. GateToSource and
DrainToSource Voltage vs. Total Charge
5
0
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
I
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
25
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.8
0.6
20
15
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
1
10
100
10
1
t
V
DS
= 32 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
t
r
t
d(on)
1000
t
f
t
d(off)
10
30
V
0
6
0
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
12
10
20
40
60
I
D
= 40 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
Q
GS
140
Q
GD
QT
4
2
100
80
0.4
0.7
0.5
V
18
0
36
24
12
6
V
DS
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
15
20
10
10
35
12000
4000
2000
0
40
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
T
J
= 25
°
C
C
oss
C
iss
C
rss
8000
5
5
0
6000
V
GS
V
DS
30
25
10000
C
rss
C
iss
120
100
0.9
1
1.1
8
30
35
40
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB5405N Power MOSFET(功率MOSFET)
NTB60N06 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06G 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB60N06T4G 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK
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參數(shù)描述
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NTB5405N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK
NTB5405NG 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB5405NT4G 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB5411N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
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