參數(shù)資料
型號(hào)： NX3008CBKV
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 - 30 V, 400 - 220 mA N-P-channel Trench MOSFET
中文描述： 400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 9/21頁
文件大?。?/td> 1473K
代理商： NX3008CBKV
NX3008CBKV
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Product data sheet
Rev. 1 — 29 July 2011
9 of 21
NXP Semiconductors
NX3008CBKV
30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET
C
iss
C
oss
C
rss
input capacitance
output capacitance
reverse transfer
capacitance
turn-on delay time
rise time
turn-off delay time
fall time
V
DS
= 15 V; f = 1 MHz; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
34
6.5
2.2
50
-
-
pF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
TR2 (P-channel), Dynamic characteristics
Q
G(tot)
total gate charge
Q
GS
gate-source charge
Q
GD
gate-drain charge
C
iss
input capacitance
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer
capacitance
t
d(on)
turn-on delay time
t
r
rise time
t
d(off)
turn-off delay time
t
f
fall time
TR2 (P-channel), Source-drain diode characteristics
V
SD
source-drain voltage
TR1 (N-channel), Source-drain diode characteristics
V
SD
source-drain voltage
V
DS
= 20 V; R
L
= 250
; V
GS
= 4.5 V;
R
G(ext)
= 6
; T
j
= 25 °C
-
-
-
-
15
11
69
19
30
-
138
-
ns
ns
ns
ns
V
DS
= -15 V; I
D
= -200 mA;
V
GS
= -4.5 V; T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
0.55
0.23
0.09
31
6.5
2.3
0.72
-
-
46
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
V
DS
= -15 V; f = 1 MHz; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= -20 V; R
L
= 250
; V
GS
= -4.5 V;
R
G(ext)
= 6
; T
j
= 25 °C
-
-
-
-
19
30
65
38
38
-
130
-
ns
ns
ns
ns
I
S
= -200 mA; V
GS
= 0 V; T
j
= 25 °C
-0.47
-0.88
-1.2
V
I
S
= 350 mA; V
GS
= 0 V; T
j
= 25 °C
0.47
0.85
1.2
V
Table 7.
Symbol
Characteristics
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NX3008NBKS 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKT 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NX3008CBKV,115 功能描述:MOSFET 30/30V, 400/220 MA N/P-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 400MA SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 400MA, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 400MA, SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain
NX3008NBK,215 功能描述:MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NX3008NBKMB 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:30 V, single N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKMB,315 功能描述:MOSFET N-Chan 30V 530mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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