參數(shù)資料
型號： NX3008NBKT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
中文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： PLASTIC, SC-75, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 863K
代理商： NX3008NBKT
NX3008NBKT
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Product data sheet
Rev. 1 — 1 August 2011
3 of 16
NXP Semiconductors
NX3008NBKT
30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
[2]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[3]
Measured between all pins.
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
Parameter
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
Conditions
T
j
= 25 °C
Min
-
-8
Max
30
8
350
230
1.4
250
300
770
150
150
150
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
V
GS
= 4.5 V; T
amb
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V; T
amb
= 100 °C
T
amb
= 25 °C; single pulse; t
p
≤
10 μs
T
amb
= 25 °C
[1]
-
[1]
-
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
-
[2]
-
[1]
-
T
sp
= 25 °C
-
-55
-55
-65
T
j
T
amb
T
stg
Source-drain diode
I
S
ESD maximum rating
V
ESD
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
source current
T
amb
= 25 °C
[1]
-
300
mA
electrostatic discharge voltage
HBM
[3]
-
2000
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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