參數(shù)資料
型號: PDTA115E
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
中文描述: PNP配電阻型晶體管;R1=100千歐姆,R2=100千歐姆
文件頁數(shù): 3/14頁
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代理商: PDTA115E
2004 Jul 30
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 100 k
, R2 = 100 k
PDTA115E series
SIMPLIFIED OUTLINE, SYMBOL AND PINNING
TYPE NUMBER
SIMPLIFIED OUTLINE AND SYMBOL
PINNING
PIN
DESCRIPTION
PDTA115ES
1
2
3
base
collector
emitter
PDTA115EE
PDTA115EEF
PDTA115EK
PDTA115ET
PDTA115EU
1
2
3
base
emitter
collector
PDTA115EM
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM338
1
2
3
R1
R2
2
3
1
handbook, halfpage
MDB271
Top view
1
2
3
1
2
3
R1
R2
handbook, halfpage
MDB267
2
1
3
Bottom view
1
2
3
R1
R2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PDTA115EE T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EE,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA115EE115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-416
PDTA115EEF 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW