參數(shù)資料
型號(hào)： PDTC114ES
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： PDTC114ES
1998 Nov 26
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC114ES
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2
(typ. 10 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistors.
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor in a
TO-92; SOT54 plastic package.
PNP complement: PDTA114ES.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
collector/output
emitter/ground
Fig.1 Simplified outline (TO-92; SOT54) and symbol.
handbook, halfpage
MAM364
1
2
3
R1
R2
2
3
1
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGL136
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
30
7
10
50
100
100
500
13
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 5 V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
R1
R2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC114E NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
PDTC114 NPN resistor-equipped transistor
PDTC114TEF PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open
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PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor
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參數(shù)描述
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