型號: | PDTC114E |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
英文描述: | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm |
中文描述: | NPN配電阻型晶體管;R1=10千歐姆,R2=10千歐姆 |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 92K |
代理商: | PDTC114E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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PDTC114EE | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
PDTC114EE T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PDTC114EE,115 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PDTC114EE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT416 |
PDTC114EEF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm |