參數(shù)資料
型號(hào)： PH2920
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 60 A, 20 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： PH2920
Philips Semiconductors
PH2920
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 June 2003
3 of 12
9397 750 11119
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03ah31
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03am08
0
40
80
120
0
60
120
180
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03am09
1
10
102
103
10-1
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 100
μ
s
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