參數(shù)資料
型號(hào)： PH2920
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 60 A, 20 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 216K
代理商： PH2920
Philips Semiconductors
PH2920
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 13 June 2003
6 of 12
9397 750 11119
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03am11
0
26
52
78
104
130
ID
(A)
0
2
4
6
VDS (V)
3 V
3.5 V
4 V
10 V
03am12
0
25
50
75
100
ID
(A)
0
1
2
3
4
VGS (V)
150
°
C
Tj = 25
°
C
03am13
0
13
26
39
52
65
0
14
28
42
56
70
ID (A)
RDSon
(m
)
3 V
3.5 V
4 V
10 V
03am14
0
0.5
1
1.5
2
-100
0
100
200
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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