參數(shù)資料
型號： PHB112N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 11/14頁
文件大小： 262K
代理商： PHB112N06T
Philips Semiconductors
PHP112N06T; PHB112N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 07 March 2001
11 of 14
9397 750 08108
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20010307
Description
Product specification. Initial version.
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP112 Microprocessor Supervisory Circuit; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP12N10E KPT 8C 8#16 PIN RECP
PHP12N50E Microprocessor Supervisory Circuit
PHP160NQ08T CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB112N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB119NQ06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T /T3 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB119NQ06T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB11N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*