型號: | PHB112N06T |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
中文描述: | 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 9/14頁 |
文件大?。?/td> | 262K |
代理商: | PHB112N06T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
PHP112 | Microprocessor Supervisory Circuit; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
PHP11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
PHP12N10E | KPT 8C 8#16 PIN RECP |
PHP12N50E | Microprocessor Supervisory Circuit |
PHP160NQ08T | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
PHB112N06T,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB119NQ06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
PHB119NQ06T /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB119NQ06T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHB11N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |