參數(shù)資料
型號： PHB125N06L
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： PHB125N06L
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP125N06LT, PHB125N06LT
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
March 1998
6
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP125N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP125N06T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP125 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
PHP130N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管)
PHP13N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHB125N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB125N06TT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404
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PHB129NQ04LT /T3 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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