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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB64N03LT |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 266K |
| 代理商： | PHB64N03LT |
Philips Semiconductors
PHB64N03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 27 August 2002
4 of 12
9397 750 10026
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
-
50
1.75 K/W
-
minimum footprint; mounted on a
PCB
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ae63
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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