參數(shù)資料
型號： PHB78NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 40 A, 25 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： PHB78NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 14 November 2001
6 of 14
9397 750 08916
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
≥
I
D
x R
DSON
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
60
40
20
0
ID
(A)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VDS (V)
2
5 V
VGS = 3 V
3.5 V
4 V
10 V
4.5 V
6 V
003aaa169
Tj = 175
ο
C
Tj = 25
ο
C
0
2
3
4
VGS (V)
40
30
20
0
10
ID
(A)
003aaa170
40
20
0
RDSon
(m
)
ID (A)
0
10
20
30
40
50
VGS = 3 V
3.5 V
5 V
6 V
10 V
4 V
60
003aaa171
03aa27
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD78NQ03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB95N03LTA 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHB95NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD12N10E PowerMOS transistor
PHD16N03T TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB78NQ03LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB78NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
PHB7N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB7N60E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB80N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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