參數(shù)資料
型號(hào)： PHM30NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： 37.6 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 275K
代理商： PHM30NQ10T
Philips Semiconductors
PHM30NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
5 of 13
9397 750 11842
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
6.
Characteristics
Table 5:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Static characteristics
V
(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
D
= 250
μ
A; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
=
55
°
C
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
;
Figure 9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
T
j
=
55
°
C
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; I
D
= 18 A;
Figure 7
and
8
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
100
89
-
-
-
-
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
2
1.2
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
I
DSS
drain-source leakage current
-
-
-
-
-
10
1
100
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
R
DSon
gate-source leakage current
drain-source on-state resistance
-
-
17
37.4
20
44
m
m
Dynamic characteristics
Q
g(tot)
total gate charge
Q
gs
gate-source charge
Q
gd
gate-drain (Miller) charge
C
iss
input capacitance
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer capacitance
t
d(on)
turn-on delay time
t
r
rise time
t
d(off)
turn-off delay time
t
f
fall time
Source-drain diode
V
SD
source-drain (diode forward) voltage I
S
= 18 A; V
GS
= 0 V;
Figure 12
t
rr
reverse recovery time
Q
r
recovered charge
I
D
= 25 A; V
DD
= 50 V; V
GS
= 10 V;
Figure 13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
53.7
13.2
11.5
3600 -
430
140
21
11
77
51
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz;
Figure 11
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 50 V; R
L
= 56
; V
GS
= 10 V; R
G
= 5.6
-
-
-
0.91
100
125
1.2
-
-
V
ns
nC
I
S
= 10 A; dI
S
/dt =
100 A/
μ
s; V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHN603S TrenchMOS/ Schottky Diode Array Three Phase Brushless d.c. Motor Driver(TrenchMOS/肖特基二極管陣列三相位無刷d.c.馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器)
PHN70308 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array(N溝道增強(qiáng)型TrenchMOS晶體管陣列)
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PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP109 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
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參數(shù)描述
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PHM3925DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3925DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM4430DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM4430DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM5601 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:MOSFET MODULE Single 560A/150V
PHM5601_1 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:560A 150V
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