參數資料
型號： PHM30NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： 37.6 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 X 0.85, PLASTIC, SOT-685-1, QLPAK, HVSON-8
文件頁數： 6/13頁
文件大?。?/td> 275K
代理商： PHM30NQ10T
Philips Semiconductors
PHM30NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
6 of 13
9397 750 11842
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03al15
5.5 V
6 V
0
20
40
60
0
0.5
1
1.5
VDS (V)
ID
(A)
4.5 V
Tj = 25
°
C
VGS = 3.5 V
10 V
4 V
5 V
03al17
0
20
40
60
0
2
4
6
VGS (V)
ID
(A)
VDS > ID x RDSon
Tj = 25
°
C
150
°
C
03al16
0
10
20
30
40
0
20
40
60
ID (A)
RDSon
(m
)
6 V
VGS = 5 V
Tj = 25
°
C
10 V
5.5 V
03al21
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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參數描述
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