參數(shù)資料
型號(hào)： PHW45NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 47 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： PHW45NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHB45NQ10T, PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
47
A
-
-
188
A
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.87
82
0.26
1.2
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHW80NQ10T N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管)
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PHX7N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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PHX8N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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