參數(shù)資料
型號(hào)： PHX45NQ11T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 30.4 A, 110 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： PHX45NQ11T
Philips Semiconductors
PHX45NQ11T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 17 May 2004
7 of 12
9397 750 13181
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
2
4
6
V
GS
(V)
max
typ
min
03ao86
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX4N40E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4N50E PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E
PHX4N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4ND40E PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
PHX8NQ11T N-channel TrenchMOS-TM standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHX45NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX4N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4N50E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N50E
PHX4N60E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX4ND40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
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