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參數(shù)資料
| 型號： | PTF10153 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 60 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 60瓦，1.8-2.0 GHz的GOLDMOS場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | PTF10153 |
PTF 10153
2
7
1750
8
9
10
11
12
1800
1850
1900
1950
2000
Frequency (MHz)
G
20
34
48
62
76
90
O
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 650 mA
Typical P
OUT
, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
Output Power (W)
Efficiency (%)
Gain (dB)
Broadband Test Fixture Performance
4
1800
8
12
16
20
1820
1840
1860
1880
Frequency (MHz)
G
-15
-10
40
50
60
V
DD
= 28V
I
DQ
= 650 mA
P
OUT
= 60 W
Gain
Return Loss (dB)
Efficiency (%)
E
R
- 5
-25
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 25 mA
V
(BR)DSS
65
—
—
Volts
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
—
—
1
mA
Gate Threshold Voltage
V
DS
= 10 V, I
D
= 75 mA
V
GS(th)
3.0
—
5.0
Volts
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
g
fs
1.0
—
—
Siemens
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
Vdc
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
Total Device Dissipation at
Above 25
°
C derate by
P
D
237
1.35
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
STG
–
40 to +150
°
C
Thermal Resistance (T
CASE
= 70
°
C)
R
JC
0.74
°
C/W
Typical Performance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF10154 | 85 Watts, 1.93-1.99 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10160 | 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10161 | 165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10162 | 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10193 | 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTF10154 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:85 Watts, 1.93-1.99 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10157 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10160 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10161 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10162 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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