參數(shù)資料
型號(hào)： PTF10161
廠商： ERICSSON
英文描述： 165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 165瓦特，869-894兆赫GOLDMOS場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 288K
代理商： PTF10161
1
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 165 W, I
DQ
= 1.5 A Total, f = 894 MHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 28 V, I
CQ
= 1.5 A Total, f = 880 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 165 W, I
DQ
= 1.5 A Total, f = 894 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 165 W, I
DQ
= 1.5 A Total,
f = 893.9, 894 MHz—all phase angles at frequency of test)
G
ps
15.0
16.0
—
dB
P-1dB
165
180
—
Watts
h
45
50
—
%
—
—
10:1
—
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated.
PTF 10161
165 Watts, 869–894 MHz
GOLDMOS
Field Effect Transistor
20
60
100
140
180
0
1
2
Input Power (Watts)
3
4
5
6
7
8
O
0
15
30
45
60
V
DD
= 28.0 V
I
DQ
= 1.5 A Total
f = 880 MHz
Typical Output Power & Efficiency vs. Input Power
Output Power
Efficiency
E
Package 20250
INTERNALLY MATCHED
Performance at 894 MHz, 28 Volts
- Output Power = 165 Watts
- Power Gain = 16.0 dB Typ
- Drain Efficiency = 50% Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
100% Lot Traceability
Description
The PTF 10161 is an internally matched,165 watt
GOLDMOS
FET
intended for large signal amplifier applications from 869 to 894 MHz.
It typically operates with 50% efficiency and 16 db of gain. Nitride
surface passivation and full gold metallization ensure excellent device
lifetime and reliability.
1234560055
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10162 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10193 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
PTF10195 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102027 40 Watts, 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102028 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF10162 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10193 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10195 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102002 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF102003 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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