參數(shù)資料
型號(hào)： PTF10162
廠商： ERICSSON
英文描述： 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 18瓦，860-960兆赫GOLDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 341K
代理商： PTF10162
PTF 10162
5
e
Typical Scattering Parameters
(V
DS
= 26 V, I
D
= 500 mA)
f
(MHz)
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
1350
1400
1450
1500
1550
1600
1650
1700
1750
1800
1850
1900
1950
2000
2050
2100
2150
2200
S11
S21
S12
S22
Mag
0.828
0.821
0.817
0.825
0.836
0.847
0.859
0.870
0.883
0.892
0.902
0.909
0.919
0.922
0.930
0.934
0.941
0.943
0.944
0.946
0.950
0.950
0.952
0.952
0.952
0.953
0.956
0.954
0.952
0.952
0.949
0.948
0.947
0.946
0.945
0.943
0.942
0.945
0.947
0.949
0.951
0.952
0.956
Ang
-120
-138
-148
-155
-160
-164
-167
-170
-172
-174
-176
-179
180
178
176
174
173
171
170
169
167
166
164
163
162
160
159
157
156
154
153
151
150
148
147
145
143
142
140
139
137
136
134
Mag
27.9
19.2
14.1
10.8
8.75
7.09
5.96
5.02
4.31
3.71
3.20
2.81
2.48
2.19
1.97
1.77
1.61
1.47
1.31
1.21
1.12
1.02
0.952
0.902
0.805
0.781
0.732
0.688
0.660
0.619
0.573
0.591
0.523
0.492
0.498
0.453
0.442
0.433
0.406
0.401
0.392
0.376
0.357
Ang
103
87.8
77.5
69.6
62.7
56.4
51.3
45.6
42.2
36.9
33.3
29.6
26.7
23.6
21.1
17.5
16.3
12.5
10.8
8.51
5.94
3.97
4.03
0.16
-0.92
-1.19
-5.01
-5.67
-6.40
-6.60
-7.30
-7.58
-7.59
-7.59
-7.60
-7.64
-6.40
-6.23
-6.20
-5.74
-5.20
-4.36
-4.30
Mag
0.015
0.014
0.013
0.011
0.009
0.007
0.006
0.007
0.008
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0.022
0.025
0.028
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0.035
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0.085
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0.096
0.106
0.113
0.119
0.124
0.134
0.135
0.150
0.154
0.171
0.171
Ang
20.6
10.7
6.0
6.5
9.7
20.7
41.5
64.2
83.2
92.6
97.9
98.5
98.6
98.7
99.3
98.6
98.3
95.8
95.4
92.5
91.7
91.4
90.5
87.1
87.6
86.6
84.9
84.9
84.2
83.9
83.7
83.1
82.2
81.6
81.4
80.9
79.8
79.6
79.5
80.1
79.4
79.0
76.1
Mag
0.597
0.576
0.571
0.602
0.628
0.661
0.698
0.723
0.754
0.783
0.805
0.831
0.845
0.860
0.880
0.890
0.904
0.916
0.922
0.930
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0.945
0.945
0.955
0.951
0.958
0.955
0.963
0.953
0.967
0.950
0.959
0.950
0.949
0.953
0.952
0.947
0.957
0.953
0.946
0.955
0.950
0.949
Ang
-65.9
-79.6
-91.7
-102
-110
-118
-124
-130
-135
-140
-144
-149
-152
-155
-158
-161
-164
-166
-168
-171
-172
-174
-176
-178
-180
178
177
175
173
172
170
169
167
166
163
163
160
159
157
156
153
153
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10193 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
PTF10195 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102027 40 Watts, 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102028 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF180101 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF10193 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10195 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102002 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF102003 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF102015 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391VAR
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