參數資料
型號： PTF10195
廠商： ERICSSON
英文描述： 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 125瓦，869-894兆赫GOLDMOS場效應晶體管
文件頁數： 6/6頁
文件大小： 328K
代理商： PTF10195
6
PTF 10195
Case Outline Specifications
Package 20248
Ericsson Inc.
Microelectronics
Morgan Hill, CA 95037 USA
Speciffications subject to change
without notice.
L3
2000 Ericsson Inc.
EUS/KR 1522-PTF 10195 Uen Rev. A1 12-08-00
1-877-GOLDMOS (465-3667) United States
+46 8 757 4700 International
e-mail: rfpower@ericsson.com
www.ericsson.com/rfpower
相關PDF資料
PDF描述
PTF102027 40 Watts, 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102028 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF180101 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
PTF180101S LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
PTF180601 LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
相關代理商/技術參數
參數描述
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PTF102003 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF102015 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391VAR
PTF-102-01-L-D 制造商:Samtec Inc 功能描述:PRESS FIT SOCKET ASSEMBLY - Bulk
PTF-102-01-S-D 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 4 POS 2MM PRESS FIT ST TH - Bulk
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