參數(shù)資料
型號(hào)： PTF210301E
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管30瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： PTF210301E
Data Sheet
5
2003-12-22
PTF210301
Test Circit Schematic for f = 2170 MHz
Test Circuit
ERS210301-1
DUT
PCB
PTF210301
0.76 mm. [.030”] thick,
ε
r
= 4.5
LDMOS Transistor
Rogers TMM4
2 oz. copper
Microstrip
l
1
l
2
l
3
l
4
l
5
l
6
l
7
l
8
l
9
l
10
l
11
l
12
l
13
l
14
Electrical Characteristics at 2170 MHz
0.102
λ
, 50
0.078
λ
, 22.8
0.098
λ
, 42.8
0.053
λ
, 11.6
0.136
λ
, 74
0.373
λ
, 54.5
0.054
λ
, 11.6
0.047
λ
, 18.2
0.019
λ
, 28.5
0.019
λ
, 14.3
0.110
λ
, 50
0.087
λ
, 50
0.152
λ
, 52.7
0.340
λ
, 50
Dimensions: W x L (mm.)
7.62 x 1.42
5.51 x 4.45
7.24 x 1.83
3.61 x 10.03
10.16 x 0.66
27.94 x 1.19
3.68 x 10.03
3.30 x 5.84
1.37 x 3.30
1.32 x 7.87
8.26 x 1.42
6.48 x 1.42
11.43 x 1.27
25.40 x 1.42
Dimensions: W xL (in.)
0.300 x 0.056
0.217 x 0.175
0.285 x 0.072
0.142 x 0.395
0.400 x 0.026
1.100 x 0.047
0.145 x 0.395
0.130 x 0.230
0.054 x 0.130
0.052 x 0.310
0.325 x 0.056
0.255 x 0.056
0.450 x 0.050
1.000 x 0.056
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF210451E BASIC SWITCH
PTF210451 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF210901E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF211301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF210451 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210451E 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210451F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451F V1 功能描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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