參數(shù)資料
型號(hào)： PTF210451E
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： BASIC SWITCH
中文描述： LDMOS射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管45瓦，二一一〇年至2170年兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 406K
代理商： PTF210451E
Data Sheet
7
2003-12-22
PTF210451
Ordering Information
Type
PTF210451E
Package Outline
30265
Package Description
Thermally enhanced, flange
Marking
PTF210451E
Notes: Unless otherwise specified
1. Interpret dimensions and tolerances per ASME Y14.5M-1994.
2. Primary dimensions are mm. Alternate dimensions are inches.
3. Pins: D = drain, S = source, G = gate.
4. Lead thickness: 0.10 +0.051/-0.025 [.004 +.002/-.001]
Package Outline Specifications
Package 30265
20.31
[.800]
10.16± 0.25
[.400± .010]
2X 2.59± 0.38
[.107 ± .015]
FLANGE 9.78
[.385]
2x 7.11
[.280]
7.11
[.280]
15.23
[.600]
4x 1.52
[.060]
CL
CL
(45° X 2.03
[.080])
S
D
G
2X R1.60
[.063]
LID 10.16± 0.25
[.400± .010]
0.0381 [.0015] -A-
3.48± 0.38
[.137± .015]
1.02
[.040]
0.51
[.020]
SPH 1.57
[.062]
15.60± 0.51
[.614± .020]
30265-2303-mec
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF210451 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
PTF210901 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF210901E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
PTF211301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
PTF211301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF210451E V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210451F 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz
PTF210451F V1 功能描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF210451FV1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF210901 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz
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