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參數(shù)資料
| 型號： | Q67040-S4115-A2 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | Q67040-S4115-A2 |
Semiconductor Group
7
29/Jan/1998
SPD14N05
SPU14N05
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 9.6 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.32
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f (T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
=20μA
-60
-20
20
60
100
140
V
200
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
GS(th)
min
typ
max
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
VDS
40
1
10
2
10
3
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(
V
SD
)
parameter:
T
j
, t
p
= 80 μs
-1
0.0
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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