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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67040-S4115-A2 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | Q67040-S4115-A2 |
Semiconductor Group
8
29/Jan/1998
SPD14N05
SPU14N05
Typ. gate charge
V
GS
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 14 A
0
1
2
3
4
5
6
7
nC
9
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=13.5 A,
V
DD
=25 V
R
GS
=25
, L = 571 μH
20
40
60
80
100
120
140
°C
T
j
180
0
10
20
30
40
mJ
60
E
AS
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(BR)DSS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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