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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67041-A4712-A2 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology |
| 中文描述： | 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | Q67041-A4712-A2 |
SGP20N60
SGB20N60, SGW20N60
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
36
30
225
54
0.44
0.33
0.77
46
36
270
65
0.53
0.43
0.96
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=400V,
I
C
=20A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=16
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
36
30
250
63
0.67
0.49
1.12
46
36
300
76
0.81
0.64
1.45
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=400V,
I
C
=20A,
V
GE
=0/15V,
R
G
=16
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67041-A4712-A4 | Fast S-IGBT in NPT-technology |
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參數(shù)描述 |
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