參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2157
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 4米× 32位江戶記憶體模組
文件頁(yè)數(shù)： 40/53頁(yè)
文件大?。?/td> 418K
代理商： Q67100-Q2157
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
39
15. Auto Refresh (CBR)
(Minimum Interval)
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Auto Refresh
Command
All Banks
Precharge
Command
Hi-Z
t
RP
t
RC
SPT03920
Command
Bank A
Command
Auto Refresh
Command
Bank A
Activate
RC
t
RAx
RAx
Ax2
Read
Ax0
Ax1
Ax3
CAx
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T18
T17
T19
T20
T21 T22
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PDF描述
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