參數(shù)資料
型號(hào): Q67100-Q2185
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module
中文描述: 3.3 4米× 64位江戶內(nèi)存3.3分× 72位江戶記憶體模組
文件頁數(shù): 2/53頁
文件大?。?/td> 418K
代理商: Q67100-Q2185
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
2
12.99
Pin Definitions and Functions
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Description
HYB 39S64400BT-7.5
Q67100-Q2781
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
4M x4 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
4M x4 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
2M x8 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
2M x8 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
1M x16 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
1M x16 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) Low Power (L-versions)
HYB 39S64400BT-8
Q67100-Q1838
HYB 39S64800BT-7.5
Q67100-Q2776
HYB 39S64800BT-8
Q67100-Q1841
HYB 39S64160BT-7.5
Q67100-Q2800
HYB 39S64160BT-8
Q67100-Q1844
HYB 39S64xxx0BTL-
7.5/-8
on request
CLK
Clock Input
DQ
Data Input/Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM,
UDQM
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
Data Mask
CS
Chip Select
Power (+ 3.3 V)
RAS
Row Address Strobe
Ground
CAS
Column Address Strobe
Power for DQ’s (+ 3.3 V)
WE
Write Enable
Ground for DQ’s
A0 - A11
Address Inputs
Not connected
BA0, BA1
Bank Select
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PDF描述
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