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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2185 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 4米× 64位江戶內(nèi)存3.3分× 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 40/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2185 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
39
15. Auto Refresh (CBR)
(Minimum Interval)
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Auto Refresh
Command
All Banks
Precharge
Command
Hi-Z
t
RP
t
RC
SPT03920
Command
Bank A
Command
Auto Refresh
Command
Bank A
Activate
RC
t
RAx
RAx
Ax2
Read
Ax0
Ax1
Ax3
CAx
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2186 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2187 | 3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2188 | 3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2189 | 3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2192 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2186 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2187 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2188 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2189 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2192 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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