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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | QSB363C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | SUBMINIATURE PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC, T-3/4 PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | QSB363C |
PACKAGE DIMENSIONS
SUBMINIATURE PLASTIC SILICON
PHOTOTRANSISTOR
SCHEMATIC
EMITTER
COLLECTOR
0.074 (1.9)
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.055 (1.4)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
0.276 (7.0)
MIN
0.024 (0.6)
.059 (1.5)
.051 (1.3)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
EMITTER
NOTES:
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
QSB363C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300233
8/2/01
1 OF 5
www.fairchildsemi.com
DESCRIPTION
The QSB363C is a silicon phototransistor encapsulated in a clear transparent T-3/4 package.
FEATURES
NPN Silicon Phototransistor
T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
Medium Wide Beam Angle, 24°
Clear Plastic Package
Matched Emitters: QEB363 or QEB373
Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB363 | SUBMINIATURE PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSBT40 | QUAD DATA LINE SCHOTTKY BUS TERMINATOR |
| QSBT40-7 | QUAD DATA LINE SCHOTTKY BUS TERMINATOR |
| QSC112 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSC113 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSB363C_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| QSB363CGR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363CYR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363CZR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363GR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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