參數(shù)資料
型號： RF1K4915796
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6.3A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 6.3AI（四）|蘇
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： RF1K4915796
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RF1K49093 Rev. B
PSPICE Electrical Model
SUBCKT RF1K49093 2 1 3
;rev 10/24/94
CA 12 8 8.75e-10
CB 15 14 8.65e-10
CIN 6 8 7.65e-10
DBODY 5 7 DBDMOD
DBREAK 7 11 DBKMOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 5 11 17 18 -23.75
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 8 6 1
EVTO 20 6 8 18 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 1.233e-9
LSOURCE 3 7 0.452e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M = 0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M = 0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 5 16 RDSMOD 7.36e-3
RGATE 9 20 6.1
RIN 6 8 1e9
RSOURCE 8 7 RDSMOD 4.56e-2
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 -0.558
.MODEL DBDMOD D (IS = 3.0e-13 RS = 4.4e-2 TRS1 = 1.0e-3 TRS2 = -7.37e-6 CJO = 1.27e-9 TT = 2.2e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS = 7.84e-2 TRS1 = -4.27e-3 TRS2 = 5.77e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO = 2.85e-10 IS = 1e-30 N = 10)
.MODEL MOSMOD PMOS (VTO = -2.1423 KP = 9.206 IS = 1e-30 N = 10 TOX = 1 L = 1u W = 1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1 = 9.61e- 4TC2 = -1.09e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1 = 2.10e-3 TC2 = 6.99e-6)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1 = -1.82e- 3TC2 = 1.47e-7)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = 5.47 VOFF= 3.47)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = 3.47 VOFF= 5.47)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = 1.05 VOFF= -3.95)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -3.95 VOFF= 1.05)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991.
12
13
8
14
13
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
1
GATE
LGATE RGATE
EVTO
+
18
8
CA
CB
EGS
EDS
RIN
CIN
MOS1
MOS2
RDRAIN
DBREAK
EBREAK
DBODY
LDRAIN
DRAIN
RSOURCE
LSOURCE
SOURCE
RBREAK
RVTO
VBAT
IT
VTO
ESG
DPLCAP
6
10
5
16
21
11
8
14
7
3
17
18
19
-
2
+
+
+
+
+
20
9
17
18-
5
8
-
-
+
6
8
-
-
-
6
8
RF1K49093
相關PDF資料
PDF描述
RF1K4922196 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO
RF1K4922496 TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
RF1K4908696 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
RF1K4908896 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
RF1S25N06SM9A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
RF1K49211 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4921196 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K49221 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4922196 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO
RF1K49223 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*