型號(hào): | RFD16N10SM |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 16A條(?。﹟對(duì)252AA |
文件頁數(shù): | 5/7頁 |
文件大小: | 228K |
代理商: | RFD16N10SM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
RFD16N03 | 16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
RFD16N02 | 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
RFD16N05 | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
RFD16N05SM | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
RFD16N06 | 16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
RFD203ZA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PLATE |
RFD204ZA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PLATE |
RFD20N03 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
RFD20N03SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
RFD20N03SM9A | 功能描述:MOSFET 30V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |