參數(shù)資料
型號(hào)： S71PL032JA0BFW0F4
廠商： SPANSION LLC
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝： 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56
文件頁(yè)數(shù)： 33/188頁(yè)
文件大?。?/td> 5078K
代理商： S71PL032JA0BFW0F4
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May 4, 2004 pSRAM_Type07_13_A0
pSRAM Type 7
129
Prelimin ary
DC Characteristics (Under Recommended Conditions Unless Otherwise
Noted)
Notes:
1. All voltages are referenced to VSS.
2. DC Characteristics are measured after following POWER-UP timing.
3. IOUT depends on the output load conditions.
Parameter
Symbol
Test Conditions
16M
32M
64M
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Input Leakage
Current
ILI
VIN = VSS to VDD
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
A
Output Leakage
Current
ILO
VOUT = VSS to VDD, Output
Disable
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
A
Output High
Voltage Level
VOH
VDD = VDD(min), IOH = –
0.5mA
2.2
—
2.4
—
2.4
—
V
Output Low
Voltage Level
VOL
IOL = 1mA
—
0.4
—
0.4
—
0.4
V
VDD Power Down
Current
IDDPS
VDD = VDD(26)
max.,
VIN = VIH or VIL,
CE2 ≤ 0.2V
SLEEP
10
—
10
—
TBD
A
IDDP4
4M Partial
N/A
—
40
N/A
A
IDDP8
8M Partial
N/A
—
50
—
TBD
A
IDDP16
16M
Partial
N/A
—
TBD
A
VDD Standby
Current
IDDS
VDD = VDD(26) max.,
VIN = VIH or VIL
CE1 = CE2 = VIH
—
1
—
1.5
—
TBD
mA
IDDS1
VDD = VDD(26) max.,
VIN ≤ 0.2V or VIN ≥ VDD – 0.2V,
CE1 = CE2 ≥ VDD – 0.2V
—
100
—
80
—
TBD
A
VDD Active
Current
IDDA1
VDD = VDD(26)
max.,
VIN = VIH or VIL,
CE1 = VIL and
CE2= VIH,
IOUT=0mA
tRC / tWC
=
minimum
—
20
—
30
—
TBD
mA
IDDA2
tRC / tWC
=
1s
—
3
—
3
—
TBD
mA
VDD Page Read
Current
IDDA3
VDD = VDD(26) max., VIN = VIH
or VIL,
CE1 = VIL and CE2= VIH,
IOUT=0mA, tPRC = min.
N/A
—
10
—
TBD
mA
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PDF描述
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