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參數(shù)資料
| 型號： | SDB20S30 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | SDB20S30 |
2001-09-07
Page 2
SDP20S30
SDB20S30
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case (per leg)
R
thJC
R
thJA
-
-
2.3
K/W
SMD version, device on PCB:
P-TO263-3-2: @ min. footprint
P-TO263-3-2: @ 6 cm
2
cooling area
1)
-
-
-
35
62
-
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
(per leg)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Diode forward voltage
I
F
=10A,
T
j
=25°C
I
F
=10A,
T
j
=150°C
Reverse current
V
F
-
-
1.5
1.5
1.7
1.9
V
V
R
=300V,
T
j
=25°C
V
R
=300V,
T
j
=150°C
I
R
-
-
15
20
200
1000
μA
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP20S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDM150 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15002 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15004 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15006 | Silicon Power Rectifier |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDB20S30_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode Switching behavior benchmark No reverse recovery |
| SDB20S30NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 300V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R |
| SDB20S30T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SCHTTKYDUALRECTSI |
| SDB2200E70 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
| SDB2200F1 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
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