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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDB20S30 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | SDB20S30 |
2001-09-07
Page 4
SDP20S30
SDB20S30
Preliminary data
1 Power dissipation
(per leg)
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120 140
°C
180
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
W
70
P
t
2 Diode forward current
(per leg)
I
F
=
f
(
T
C
)
parameter:
T
j
175 °C
0
20
40
60
80
100
120 140
°C
180
T
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
11
I
F
4 Typ. forward power dissipation vs.
average forward current
(per leg)
P
F(AV)=
f
(
I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
0
2
4
6
8
10
12
14
A
I
F(AV)
18
0
4
8
12
16
20
24
W
32
P
F
d=1
d=0.5
d=0.2
d=0.1
3 Typ. forward characteristic
(per leg)
I
F
=
f
(
V
F
)
parameter:
T
j , t
p
= 350 μs
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
V
F
2.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
20
I
F
-40°C
25°C
100°C
125°C
150°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP20S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDM150 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15002 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15004 | Silicon Power Rectifier |
| SDM15006 | Silicon Power Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDB20S30_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode Switching behavior benchmark No reverse recovery |
| SDB20S30NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 300V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R |
| SDB20S30T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SCHTTKYDUALRECTSI |
| SDB2200E70 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
| SDB2200F1 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
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