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參數(shù)資料
| 型號： | SDT08S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Thinq SiC Schottky Diode |
| 中文描述： | Thinq碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 207K |
| 代理商： | SDT08S60 |
2004-03-18
Rev. 2.0
Page 3
SDT08S60
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteristics
Total capacitive charge
V
R
=400V,
I
F
=8A,
d
i
F
/d
t
=200A/μs,
T
j
=150°C
Switching time
Q
c
-
24
-
nC
V
R
=400V,
I
F
=8A,
d
i
F
/d
t
=200A/μs,
T
j
=150°C
Total capacitance
t
rr
-
n.a
-
ns
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f
=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f
=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f
=1MHz
C
-
-
-
280
26
18
-
-
-
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SE5532AD8G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5532AD8R2 | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5532AD8R2G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5532NG | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5534ANG | Single Low Noise Operational Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDT08S60_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT08S60XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
| SDT100 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
| SDT100GK08 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
| SDT100GK12 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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